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参数目录39398
> NE851M33-A TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
型号:
NE851M33-A
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
CEL
描述:
TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
NE851M33-A PDF
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
5.5V
频率 - 转换
4.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率)
1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益
-
功率 - 最大
130mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 5mA,1V
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
3-SuperMiniMold
包装
散装
查看NE851M33-A代理商
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NE851M03-A
CEL TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363
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SM-42TA101
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